PECVD管式爐的簡介

PECVD管式爐又叫做等離子增強化學氣相沉積(PECVD)的設備，是制造半導體器件和電池(電池片、正負極電池材料等)、晶體生長(石墨烯生長、磚石生長等材料)的重要工具之一。

PECVD系統是借助微波或射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在較低的溫度下合成高質量的薄膜材料，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。

PECVD管式爐

產品特性:

電源范圍廣;溫度范圍寬;濺射區(qū)域長;整管可調;精致小巧,性價比高;可實現快速升降溫,是實驗室生長薄膜石墨烯,金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等的好選擇;也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。

PECVD管式爐主要由以下幾個部分組成：

爐體：

爐體是PECVD管式爐的主體結構，通常采用高溫合金材料制造，能夠承受高溫和高壓。

加熱系統：

加熱系統是PECVD管式爐的核心部分，通常采用輻射加熱方式，通過高溫電熱元件將電能轉化為熱能。

反應室：

反應室是PECVD管式爐的核心部件，它是一個密閉的、能夠控制氣氛的容器。反應室內部通常安裝有熱電偶和溫度控制器。

微波或射頻系統：

微波或射頻系統是PECVD管式爐的重要部分，用于產生等離子體，增強化學反應。

氣體系統：

氣體系統是PECVD管式爐的重要組成部分，用于控制氣體的流入和流出，保證化學反應的順利進行。

控制系統：

控制系統是PECVD管式爐的關鍵部分，用于控制設備的運行和化學反應的過程。

安全保護系統：

安全保護系統用于確保設備運行的安全性和穩(wěn)定性。

PECVD管式爐的特點

PECVD非晶硅沉積速率快，可實現原位摻雜，將沉積工藝總時間控制在35分鐘以內。雖然PECVD也會在硅片側面及電池正面邊緣區(qū)產生輕微的繞度區(qū)，但是易于去除。此外，PECVD的非晶硅僅沉積在石墨舟上，可定期清理，無需石英管耗材。